一、應用領域
設計用于中溫 CVD 工藝。如 ZnO 納米結構的可控生長、氮化硅渡膜、陶瓷基片導
電率測試、陶瓷電容器（MLCC）氣氛燒結等等。
二、技術指標
設備型號： KCVD(D)-250/750/3
*溫度： 1050℃
工作溫度： RT～1000℃
加熱區長度： 750mm
爐管實際尺寸： Φ250（外徑）×1750mm （高純氣煉石英管）
爐膛材料： 氧化鋁、高鋁和硅酸鋁纖維制品
控制溫區個數： 3 個，K 分度熱偶
控溫精度： ±1℃，單回路智能 64 段程序儀表控制，PID 參數自整定
整個升溫過程中溫度過沖不超過±5 度
加熱元件： FEC 陶瓷纖維加熱器，瑞典進口 Kanthal 發熱絲
*加熱功率： 18Kw
空爐保溫功率： 約 7Kw
升溫速率：≤75min（900℃）
氣氛系統：3 爐氣體（氮氣、氧氣、氬氣）浮子流量計控制
輸入動力電源： 三相電源，50HZ ，380V±10%
爐體表面溫升： ≤35℃。
外形尺寸：約 1750*1200*830（L*H*W）
三、結構介紹
KCVD(Z)-250/750/3 中溫氣氛管式爐爐管總長約 1.75 米，加熱區長度為
750mm。加熱元件采用進口電阻絲微露陶瓷纖維板（FEC）加熱，*加熱功率 18kw。 兩端保溫區長各 170mm。爐管一端可同時通入 3 路氣體進入混合罐通入爐膛，氣體流量用浮子或質量流量計控制，另一端接排氣閥。
